基于惰性原子掺杂源漏区的新型高效应变锗沟道技术研究

项目负责人何力
依托单位中国科学院半导体研究所
立项年份2020
学科分类半导体器件物理
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥24.0万
批准号62004188

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