高场内插多场耦合特性及性能退化机理研究

项目负责人王秋良
依托单位中国科学院电工研究所
立项年份2014
学科分类超导与电工材料
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥95.0万
批准号51477167

工具

查询更多基金项目 | 智能选刊推荐

该负责人其他项目

中国科学院电工研究所其他项目

超导与电工材料学科其他项目