原位堆叠高迁移率自对准顶栅IGZO TFT及源漏区低阻化机理

项目负责人彭聪
依托单位上海大学
立项年份2023
学科分类信息科学部
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥30.0万

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