晶格匹配InAlN/GaN HEMT肖特基栅极泄漏电流的退化机制研究

项目负责人闫大为
依托单位江南大学
立项年份2015
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥20.0万
批准号61504050

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