压接型IGBT器件封装的多物理场相互作用机制

项目负责人崔翔
依托单位华北电力大学
立项年份2017
学科分类电磁场与电路
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥299.0万
批准号U1766219

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