基于n-GaN衬底和ZnO/ZnMgO多量子阱的MIS结构二极管的紫外发光及发热特性研究

项目负责人方国家
依托单位武汉大学
立项年份2010
学科分类光学材料中物理问题及固体发光
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥49.0万
批准号11074194

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