硅衬底GaN基HEMT器件中缺陷及其对2DEG载流子输运特性影响机理研究

项目负责人宁吉强
依托单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
立项年份2016
学科分类半导体器件物理
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥16.0万
批准号61674166

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