双向耐压SiC GTO逆向终端机理与新结构研究

项目负责人周坤
依托单位中国工程物理研究院电子工程研究所
立项年份2020
学科分类半导体电子器件与集成
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥24.0万
批准号62004181

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