增强型GaN-on-Si MIS-HEMT功率器件场控能带机理与新技术

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• 电热工况下HBM模块CuSiO₂混合键合失效机理与寿命预测模型（国自然，陈思，2025）
• GaNHEMT微波器件氢中毒应力调制效应及失效机理研究（国自然，陈义强，2022）
• 高性能复合近场探头设计与关键参数表征技术研究（国自然，邵伟恒，2020）
• 面向空间应用的GaN HEMT器件辐射损伤机理、模型及地面评估技术（国自然，雷志锋，2020）
• 超薄二维层状钛基氧化物的可控构筑及其储镁性能研究（国自然，陈程成，2018）
• 系统级封装SiP中硅通孔(TSV)界面损伤机理与TDDB寿命模型研究（国自然，陈思，2018）
• 基于低秩矩阵分解和大间隔学习的硬件木马检测算法研究（国自然，孙宸，2018）

半导体电子器件与集成学科其他项目

• p-BN栅结构AlGaN/GaN增强型场效应晶体管研究（国自然，谭庶欣，2020）
• 面向科学计算的存算一体化闪存器件的研究（国自然，陈杰智，2020）
• 面向可穿戴设备的GaN异质结纳米线气体传感器研究（国自然，黄辉，2020）
• 基于铪基器件反铁电性的神经元仿生研究（国自然，曹荣荣，2020）
• 垂直二维叠层结构范德华双极晶体管电学及其功能电路研究（国自然，刘利伟，2020）
• 金刚石场效应晶体管击穿机制与高压复合终端结构研究（国自然，任泽阳，2020）
• 功率半导体器件新型MIS耐压层等势场调制基础理论与新结构（国自然，章文通，2020）
• 基于有机/无机rubrene/CuInP2S6异质结的铁电有机晶体管存储器研究（国自然，裴颗，2020）