中子辐照对硅锗合金PN结电学性能的影响机理研究

项目负责人董鹏
依托单位中国工程物理研究院电子工程研究所
立项年份2016
学科分类半导体材料
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥22.0万
批准号61604139

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