硅表面砷钝化的量子途径和碲镉汞选择生长的机理

项目负责人陈效双
依托单位中国科学院上海技术物理研究所
立项年份2009
学科分类半导体器件物理
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥36.0万
批准号60976092

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