| 项目负责人 | 梅增霞 |
| 依托单位 | 中国科学院物理研究所 |
| 立项年份 | 2006 |
| 学科分类 | 半导体器件物理 |
| 资助来源 | 国家自然科学基金 |
| 项目状态 | 已立项 |
| 资助金额 | ¥29.0万 |
| 批准号 | 60606023 |
工具
该负责人其他项目
- 非晶氧化镓能带/缺陷工程及多色光电突触应用研究(国自然,梅增霞,2025)
- 非晶氧化镓PPC光电协同调控研究及其在低能耗光电突触中的应用(国自然,梅增霞,2021)
- 氧化物柔性电子学与微纳电源系统(国自然,梅增霞,2018)
- 同位素示踪法研究氧化物本征点缺陷的能量学(国自然,梅增霞,2016)
- ZnO外延薄膜的p型掺杂及自补偿机理研究(国自然,梅增霞,2012)
- 日盲紫外探测材料铍锌氧薄膜的外延生长与器件研制(国自然,梅增霞,2010)
中国科学院物理研究所其他项目
- Layered,hybridandMoirémolecule-basedvanderWaalsheterostructures(国自然,CarlosAndresPALMAVARGAS,2025)
- 面向新一代光频标的相对论强关联高精度计算和光谱预测(国自然,于艳梅,2025)
- mRNA结构调控核糖体易位和翻译移码的单分子研究(国自然,付航,2025)
- 基于原子力显微镜研究Gasdermin蛋白诱导磷脂膜弯曲的作用机制(国自然,任克礼,2025)
- 伊辛超导/磁性范德瓦尔斯异质结中拓扑超导态的构筑与调控(国自然,刘广同,2025)
- 磁性拓扑材料反常能斯特热电物理与性能提升(国自然,刘恩克,2025)
- 原位常压环境电镜研究镍铁基氧载体的化学链干重整反应机制(国自然,刘效治,2025)
- 面向低温应用的磷化铟基高电子迁移率晶体管噪声抑制研究(国自然,刘楠,2025)
半导体器件物理学科其他项目
- 基于惰性原子掺杂源漏区的新型高效应变锗沟道技术研究(国自然,何力,2020)
- p型氧化镓生长机制及其受主激子效应与深紫外探测器应用(国自然,方志来,2020)
- 基于铁电负电容效应调控二维层状材料晶体管的光电性能研究(国自然,张金中,2020)
- 极薄栅介质Ge基MOS器件栅结构缺陷态及其抑制机理的研究(国自然,马雪丽,2020)
- 二维两面神结构材料的介电特性与二阶非线性光响应机理及调控(国自然,赵奇一,2020)
- 梯度能带金属氧化物界面层蓝光钙钛矿发光器件(国自然,方国家,2020)
- 锗晶圆衬底上高性能超薄MoTe2纳米带晶体管器件构筑与性能研究(国自然,张文峰,2020)
- 强电场下薄层二硫化钼场效应晶体管中载流子输运特性及其影响机理研究(国自然,金伟锋,2020)