硅基GaN垂直结构功率二极管外延材料的缺陷抑制与可控掺杂研究

项目负责人刘建勋
依托单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
立项年份2018
学科分类半导体电子器件与集成
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥24.0万
批准号61804162

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