自加热和热电子效应对AlGaN/GaN HEMT和MOS-HEMT器件电学性能影响的研究

项目负责人胡伟达
依托单位中国科学院上海技术物理研究所
立项年份2007
学科分类物理学Ⅱ
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥2.0万
批准号10747162

工具

查询更多基金项目 | 智能选刊推荐

该负责人其他项目

中国科学院上海技术物理研究所其他项目

物理学Ⅱ学科其他项目

相关期刊推荐

该学科领域可投稿的高影响期刊: