新型高K栅介质双沟道AlN/GaN/AlGaN/GaN基MOS-HEMTs极化和电流坍塌效应研究

项目负责人胡伟达
依托单位中国科学院上海技术物理研究所
立项年份2010
学科分类半导体器件物理
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥21.0万
批准号61006090

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