基于高k/铁电复合栅介质的高阈值电压增强型氧化镓MOSFET器件的研究

项目负责人冯倩
依托单位西安电子科技大学
立项年份2019
学科分类半导体电子器件与集成
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥59.0万
批准号61974112

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