不同质量GaN单晶衬底上AlGaN/GaN功率开关器件的电流崩塌机理研究

项目负责人谭庶欣
依托单位南通大学
立项年份2015
学科分类半导体电子器件与集成
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥23.0万
批准号61504071

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