InSb-Au复合结构磁场传感器的偏置磁场调控特性

项目负责人尹志岗
依托单位中国科学院半导体研究所
立项年份2008
学科分类新型信息器件
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥21.0万
批准号60806044

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