系统级封装SiP中硅通孔(TSV)界面损伤机理与TDDB寿命模型研究

项目负责人陈思
依托单位工业和信息化部电子第五研究所
立项年份2018
学科分类集成电路器件、制造与封装
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥20.0万
批准号61804032

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