基于沟槽型深漏端扩散区和场板技术的新型超结LDMOS的模型研究及研制

项目负责人林智
依托单位重庆大学
立项年份2016
学科分类半导体电子器件与集成
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥20.0万
批准号61604024

工具

查询更多基金项目 | 智能选刊推荐

该负责人其他项目

重庆大学其他项目

半导体电子器件与集成学科其他项目