适用于三维FinFET器件的高浓度鍺硅高迁移率沟道制备和钝化技术及机理研究

项目负责人李永亮
依托单位中国科学院微电子研究所
立项年份2020
学科分类集成电路器件、制造与封装
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥59.0万
批准号62074160

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