SiC IGBT中材料关键属性失配固晶结构的互连界面行为及互连层疲劳损伤机理研究

项目负责人吴丰顺
依托单位华中科技大学
立项年份2020
学科分类集成电路器件、制造与封装
资助来源国家自然科学基金
项目状态已立项
资助金额¥59.0万
批准号62074062

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